郭浩中

半導體研究所所長

郭浩中所長,於三五族 (III-V) 高速半導體 (GaAs, InP, GaN, etc.) 之材料、光電元件與雷射技術相關領域,有著超過二十年的應用研究與經驗。自 2004 年起,郭所長致力於高效率光電半導體元件的相關研究,尤其著重於改善二極體效率下降等問題,並且成功製作出全世界第一個電激發的氮化鎵垂直共振腔面射型雷射 (GaN VCSEL),開創了GaN VCSEL相關研究領域。郭所長在國際上亦獲得許多殊榮與肯定,於 2012年至 2021 年間,獲得了 OSA、IET、SPIE、IEEE 和 IAAM 等會士資格。
亦曾擔任 IEEE/Photonics 台北分會主席、IEEE JSTQE 客座編輯、OSA/IEEE Journal of Lightwave Technology 與 OSA Photonics Research 副主編等。
研究領域
三五族 (III-V) 高速半導體 (GaAs, InP, GaN, etc.) 之材料、光電元件與雷射技術之相關研究、MOCVD 磊晶、氮化鎵垂直共振腔面射型雷射 (GaN VCSEL) 、氮化鎵發光二極體 (GaN LED)、氮化鎵高遷移率電晶體(GaN HEMT) 與 奈米光電材料與元件。

教育背景

  • 美國伊利諾大學香檳分校 電機博士
  • 美國羅格斯大學 電機碩士
  • 國立臺灣大學 物理學士

經歷

  • 國立陽明交通大學光電工程學系 講座教授
  • 台積固態照明股份有限公司 處長
  • 美國華星光通科技股份有限公司雷射 部門經理
  • 美國安捷倫科技光纖通訊部門 研發工程師
  • 美國貝爾實驗室異質接面半導體部 研究助理

得獎資訊

  • 2021年中國工程師學會傑出工程教授獎
  • 2020年科技部未來科技突破獎
  • 2020年光電科技工業協進會「光電技術貢獻獎」
  • 2020、2017年科技部傑出研究獎
  • 2017年 Google Research Award
  • 2014年中國電機工程學會傑出電機工程教授獎
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